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科晶管式炉的动力学影响分析应用

返回列表 来源:未知 发布日期:2020-09-28 08:46【

1 实验过程及结果


制备薄膜的主要参数为: 靶材用纯度为 99. 5 % 的 MnSi1. 85和纯度为 99. 99 % 的 Si,本底真空度为 6. 6 × 10 - 4 Pa,溅射气压为 0. 45 Pa,沉积温度为 753 K, 采用双靶共溅射法制备 MnSi1. 7薄膜,MnSi1. 85靶的溅射功率为80 W,而 Si 靶的溅射功率为40 W,可以忽略后 者对薄膜厚度的影响,得到厚度为 80 nm 高锰硅( MnSi1. 7 ) 半导体薄膜。将此条件下制备的部分薄膜样 品切成片,放入马弗炉中( 合肥科晶生产的 GSL-1400X 型管式炉) 在 823 K 下进行 40 min 高温退火处理,使 样品薄膜消除应变。


2 实验结果分析


经过对实验数据的拟合后,其中实线为拟合曲线。通过拟合,得到 退火后的 MnSi1. 7薄膜表面载流子分别经 200 和 400 nJ 单脉冲作用下的弛豫时间。对于较快衰减过程,由拟 合结果可知在能量为 200 nJ 时,得到 τf = 0. 186 ps; 能量为 400 nJ 时,得到 τf = 0. 405 ps。可以得出,随着泵 浦光能量强度的增加,快弛豫过程时间增加; 同时,随着泵浦光能量强度的增加,双 e 指数系数增大,代表着 随着泵浦光能量强度的增加,快弛豫过程占比增大。快弛豫时间在数百飞秒的原因是泵浦光能量强度的增 加,载流子浓度迅速升高并具有较大的能量,载流子 - 载流子散射和载流子 - 声子散射这两个能量传递过程 主要在这时发生,同时载流子 - 载流子散射占主导地位。

合肥科晶 KSL-1100X-S 1100℃迷你型箱式炉





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