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科晶箱式炉对于模量多尺度预测模型

返回列表 来源:未知 发布日期:2021-11-12 09:15【

    Cf/SiC 材料的氧化机制研究开始于 20 世纪 90 年代,已经得到了大量的研究成果。研究了 2D Cf/SiC 在 700~1 500℃ 下的氧化机 制和氧化后微观形貌变化,表明该材料氧化时以 纤维和界面氧化为主,基体只在高温时起阻碍氧 化的作用。研究的复合材料均为 CVI 工艺制备的平 纹编织结构,其纤维体积分数为 40%。其中 BN 界面的 SiCf/SiC 材料增强体为国产 2 代碳化硅纤 维,纤维直径 14 µm,BN 界面和 SiC 基体由化学 气相渗透制备,BN 界面厚度为 0.1 µm。将 SiCf/SiC 试样放入 KSL-1200X 箱式炉 (厂商:合肥科晶) 进 行氧化试验。将试件分组随炉升温至 1 000℃,升 温速率 为 5℃/min, 在 1 000℃ 下氧化处 理 1 h、 2.5 h 和 4 h 三组材料。氧化后称量各组试样重量, 对比氧化前后质量差异。

合肥科晶 KSL-1200X 1200℃箱式炉(7.2L)


    对BN 界面的SiCf/SiC 材料在1 000℃ 下氧化不同时长后的模量预测结果比较准确,而 对 PyC 界面的 Cf/SiC 材料的预测结果与中的 试验结果偏差不大,误差不大于 7%。结果表明对 于界面氧化损伤导致的模量下降是可以预测的;对 PyC 界面的 Cf/SiC 材料预测结果与结果偏差 较大,是由于纤维氧化损伤的分析误差引起的。BN 界面的 SiCf/SiC 材料氧化后在 DDL100 电 子万能试验机 (厂商:中机试验) 上进行拉伸试验, 拉伸速率为 0.5 mm/min,测试试件氧化后拉伸模 量;PyC 界面的 Cf/SiC 材料采用中的数 据。