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科晶马弗炉用于光固化的陶瓷性能的影响!!!

返回列表 来源:未知 发布日期:2021-11-08 09:15【

    Al2O3陶瓷具有优良的电绝缘性能、化学稳定性、导热 性能与高频特性,且原料来源丰富,是电子信息制造业中 应用最广泛的陶瓷材料,可用于制备散热基板和热沉;在 薄/厚膜电路、混合集成电路、绝缘栅双极型晶体管芯片 (IGBT)中,Al2O3陶瓷占据举足轻重的地位。将Al2O3陶瓷生坯置于真空管式炉内(OTF1200X,合肥科晶),以1°C/min升温至600°C,保温2h后以 5°C/min降温至300°C,而后随炉冷却至室温,制得Al2O3陶 瓷坯体1。然后将Al2O3陶瓷坯体1置于马弗炉中(KSL-1100X-S,合肥科晶),在空气环境下以2°C/min升温至450°C, 保温3h后,随炉冷却至室温,制得Al2O3陶瓷坯体2。

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    表面改性处理也可降低Al2O3陶 瓷浆料的深度敏感系数和深度方向的临界能量密度,其原 因可能在于表面改性处理可改善Al2O3陶瓷浆料的分散状 态,使得深度方向上的固化反应更易被激发;但由于表面 OA的吸光作用,反而使得其固化深度增长速率降低。表 面改性处理虽然会降低打印深度,可满足Al2O3陶瓷的打印 成型要求。Al2O3陶瓷与改性Al2O3陶瓷的断面SEM, 二者断裂方式均为沿晶断裂,且Al2O3晶粒内含有部分气 孔。由Al2O3陶瓷断面可以看出,氧化铝晶粒发生 了异常长大,且各晶粒尺寸大小相差较大,最大晶粒尺寸可 达13~17μm,而最小晶粒尺寸仅为0.6~1.5μm。改性Al2O3 陶瓷断面中各晶粒尺寸较为接近,无明显的晶粒 异常长大。