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元素扩散分析(科晶样品应用)

返回列表 来源:未知 发布日期:2020-06-18 09:35【

1 实验


实验中所用的两片InSb(100)样品由合肥科晶公司提供。首先两片晶片分别浸泡在丙酮、甲醇和 异丙醇中各1min以除去样品表面有机 物;然 后 将 其中一 片 样 品 在10%的稀 盐 酸 溶 液 中 浸 泡 2 min 去除天然氧化物,取出后用去离子水冲洗并用高纯 氮气吹干,另一片样品只除去表面有机物以保留其 天然氧化物(天然氧化样品);然后将两组样品同时 放入原子层沉积(ALD)腔体中;稀盐酸处理过的样 品要在10 min内放 入 真 空 中;沉积时样品温度为 200℃,在样品表面沉积大约5nm 厚的 HfO2薄膜。


2 结果与讨论


在沉积 HfO2薄膜之后,对于 HCl预处 理 和 天 然氧 化 样 品,不 同 X 射 线 能 量 下 测 得 的 In3d5/2芯能 级 谱 中InSb块 体 和In氧 化 物 的 信 号 强度都低于 SRPES的检测 精 度。这 是 因 为 在750 和600eV 的 X射线能量下探测的元素信息主要来 自界面处以上的部分,同时说明In氧化物没有扩散 到靠近 HfO2薄膜表面的位置。






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