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科晶研制硅片用于光电探测器的制备

返回列表 来源:未知 发布日期:2021-12-06 09:05【

    半导体材料黑磷由于兼具可调的带隙及较高的载流子迁移率而引起人们的广泛关注 . 但由于黑 磷在空气中十分不稳定,易发生光氧化作用,大大阻碍了其进一步应用. 锗基单硫族化合物,如硫化 锗(GeS)、硒化锗(GeSe)和碲化锗(GeTe)等,是Ⅳ~Ⅵ族半导体材料的重要成员,储量丰富、成本低且 环保,已经广泛应用于光电探测器、场效应晶体管、光催化及锂离子电池等领域。天津市康科德科技有限公司; 丙酮(ACTN,分析纯),天津市元立化工有限公司;超干乙醇(EtOH,纯度≥99. 5%),艾览(上海)化工科 技有限公司;氩气(Ar,纯度≥99. 999%),天津市东祥特种气体有限责任公司;硅片(SiO2/Si,SiO2厚度 约300 nm,p型),合肥科晶材料技术有限公司;热释放胶带(1005R-2. 0型),美国Ultron Systems Inc公 司;光刻胶(AZ 5214E 型),德国 Merck 公司;显影液(TMAH,AZ 300MIF 型),美国 AZ Electronic Material公司.


    光响应度(Rλ )和外部量子效率(EQE)是评价光电探测器性能的两个关键参数. Rλ表示单位功率特 定波长的入射光照射在器件的有效面积上产生的光电流,EQE是每个入射光子检测到的载流子数量, 计算公式分别为Rλ = Iph/PS和EQE = hcRλ/eλ[其中,λ(m)为入射光波长;Iph(A)为光电流,Iph=Ilight−Idark; P(W/cm2 )为照射在纳米片上的光功率密度;S(cm2 )为光电探测器的有效面积;h(J·s)为普朗克常量; c(m/s)为光速;e(C)为电子电荷的绝对值].随循环次数的增加暗电流也有一定程度的增加, 这是由于纳米片中存在的陷阱态会延长非平衡载流子的寿命,因此暗电流恢复到初始状态需要更长的 时间. 为进一步改善缺陷态,可以通过保持严格的化学计量比制备Ge0. 5Se0. 5晶体。